以碳化硅(SiC)為代表的第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)是全球戰(zhàn)略競爭新的制高點(diǎn)。SiC器件具有極高的耐壓水平和能量密度，可有效降低能量轉(zhuǎn)化損耗和裝置的體積重量，滿足電力傳輸、機(jī)車索引、新能源汽車、現(xiàn)代國防武器裝備等重大戰(zhàn)略領(lǐng)域?qū)Ω咝阅堋⒋蠊β孰娏﹄娮悠骷钠惹行枨螅蛔u(yù)為帶動“新能源革命”的“綠色能源”器件。但長期以來，我國SiC器件的研制生產(chǎn)主要依賴進(jìn)口。SiC器件關(guān)鍵裝備的成功研發(fā)對加快解決全產(chǎn)業(yè)鏈的自主保障、降低生產(chǎn)線建設(shè)與運(yùn)營成本、促進(jìn)產(chǎn)業(yè)技術(shù)進(jìn)步和快速發(fā)展壯大等方面具有重大的推動作用。

　　在國家863計劃支持下，經(jīng)過中國電子科技集團(tuán)公司第四十八研究所為牽頭單位的課題組不懈努力，成功研制出適用于4-6英寸SiC材料及器件制造的高溫高能離子注入機(jī)、單晶生長爐、外延生長爐等關(guān)鍵裝備并實(shí)現(xiàn)初步應(yīng)用。該課題近期通過科技部驗(yàn)收，研究成果有力保障了我國SiC電力電子器件產(chǎn)業(yè)“材料—裝備—器件”自主可控發(fā)展。

　　課題開發(fā)的SiC高溫高能離子注入機(jī)、SiC 外延生長爐均為首臺國產(chǎn)SiC器件制造關(guān)鍵裝備，可滿足鋁離子注入最高能量達(dá)到700KeV，注入均勻性達(dá)到1%以內(nèi);SiC外延最高溫度達(dá)到1700℃，生長均勻性達(dá)到3%以內(nèi)。上述主要技術(shù)指標(biāo)均已達(dá)到國際同期水平。同時，設(shè)備的銷售價格可控制在同類進(jìn)口設(shè)備的2/3以下，有力支撐了國內(nèi)SiC器件的研制生產(chǎn)。在中國電科13所、55所、泰科天潤等十余家公司進(jìn)行的器件制造工藝驗(yàn)證和生產(chǎn)數(shù)據(jù)表明，采用國產(chǎn)裝備制造的SiC器件產(chǎn)品性能和良率已接近進(jìn)口水平，器件成品率在90%以上。在全面完成課題任務(wù)基礎(chǔ)上，課題組緊抓未來市場契機(jī)，還開展了大尺寸SiC柵氧生長、高溫激活、刻蝕、減薄、切割、磨拋等關(guān)鍵工藝裝備與工藝整合研究，為SiC器件制造整線裝備的國產(chǎn)化打下了堅實(shí)基礎(chǔ)。